Faasimuutosmuisti

Tässä artikkelissa tutkimme Faasimuutosmuisti:tä perusteellisesti ja analysoimme sen alkuperää, vaikutusta ja merkitystä nykyään. Faasimuutosmuisti on aihe, joka on herättänyt kiinnostuksen monissa ihmisissä ympäri maailmaa, sillä se kattaa tärkeitä yhteiskunnan, kulttuurin tai historian näkökohtia. Tässä tekstissä tarkastelemme erilaisia ​​näkökulmia ja mielipiteitä Faasimuutosmuisti:stä, tavoitteenamme tarjota kattava ja täydellinen näkemys tästä aiheesta. Lukemisen loppuun mennessä toivomme, että lukijat ymmärtävät Faasimuutosmuisti:n syvemmän ja merkityksellisemmän, jotta he voivat pohtia sitä ja tehdä siitä omat johtopäätöksensä.

Muistityypit
Haihtuvat muistityypit
Haihtumattomat muistityypit

Faasimuutosmuisti (engl. Phase-change memory, PCM tai PRAM) on tietotekniikassa muistityyppi, joka on haihtumatonta muistia.[1][2] Muistityypin tekniikkaa on tutkittu ja kehitetty 1960-luvulta lähtien.[1] Muistin sanotaan tarjoavan parempaa kirjoitusnopeutta ja pienempää virrankäyttöä kuin flash-muistin.[1] Koska PCM-muisti ei tarvitse pyyhkimistä ennen kirjoittamista sen arvioidaan kestävän pidempään kuin flashin.[1]

Lähteet

  1. a b c d Sean Michael Kerner: What is Phase Change Memory? enterprisestorageforum.com. 18.7.2019. Viitattu 5.1.2021. (englanniksi)
  2. Otto Räisänen: Faasimuutosmuisti (PDF) lutpub.lut.fi. 13.11.2016. Viitattu 5.1.2021.